Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами
Инженерно-технические науки Бакалавриат
Характеристики
2010 год • 16 страниц • 495.1 KB
Издательство Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Тип издания Практикум
Гриф Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки 210600 – «Нанотехнология», 210601 - «Нанотехнология в электронике»
Описание
В настоящей работе представлено описание квантовых размерных эффектов в гетеронаноструктурах GaAs/InGaAs. Рассмотрены особенности поведения диодов Шоттки на основе этих гетероструктур как фотоприемников излучения. Описаны методики измерения люксвольтовой характеристики и спектральной фото-чувствительности диодов.
