Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС
Физика
Характеристики
2001 год•18 страниц•484.1 KB
Тип изданияОписание лабораторной работы
Черных Л. М., Павлов Ф. Ф., Андреев А. Д., Федюшин В. Б.


Попов Д. Е.
Чен Т. Т., Родионова Е. В., Тарасов Ю. И.
Копытин И. В., Корнев А. С., Фролов М. В., Манаков Н. Л.
Шипилова А. В., Салеев В. А.