Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС
Физика
Характеристики
2001 год • 18 страниц • 484.1 KB
Тип издания Описание лабораторной работы
Сатанин А. М.
Деткова В. М. , Долматова О. А.
Трясучёв В.А.
Шипилова А. В. , Салеев В. А.
Попов Д. Е.
Павлов Ф. Ф. , Федюшин В. Б.