Выращивание фотодиодных структур на основе InGaAs и InAlGaAs на подложке GaAs методом МОСГЭ. Практикум
Физика Магистратура
Характеристики
2025 год • 61 страниц • 2.5 MB
Издательство Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Гриф Рекомендовано методической комиссией физического факультета для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 Электроника и наноэлектроника
Описание
Пособие посвящено освоению методики эпитаксиального роста полупроводниковых структур на основе соединений А III В V . Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ в качестве пособия при подготовке по курсу «Функциональные материалы».
