Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

Описание

Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.