Влияние температуры и электрического поля на фоточувствительность структур с квантовыми точками inas/gaas: практикум
Инженерно-технические наукиМагистратура
Характеристики
2022 год•22 страниц•490.3 KB
ИздательствоНациональный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Описание
В работе описаны физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантовых точек InAs/GaAs и методика измерений спектральных зависимостей фоточувствительности диодов Шоттки при различных температурах и напряженностях электрического поля в квантово-размерном слое. Практикум предназначен для студентов физического факультета ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».
