Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах
Инженерно-технические науки Аспирантура Бакалавриат Магистратура
Характеристики
2019 год • 36 страниц • 985.6 KB
Издательство Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
ISBN 978-5-292-04600-4
Тип издания Учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
Описание
На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов. Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика».
