Лабораторный практикум по курсу «Моделирование элементов твердотельной электроники»
Инженерно-технические науки Бакалавриат
Характеристики
2022 год • 92 страниц • 1.9 MB
Издательство Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
Гриф Утверждено редакционно-издательским советом университета
Описание
Содержит восемь лабораторных работ, посвященных вопросам мо-делирования электрических характеристик полупроводниковых приборов в среде Sentaurus TCAD (Synopsys). Последовательно рассмотрены модели для приборного моделирования, приведены примеры расчета электрических характеристик p - n-переходов, МОП-структур и МОП-транзисторов, а также биполярных транзисторов. Для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» по профилям бакалавриата «Интегральная электроника и наноэлектроника» и «Квантовые приборы и наноэлектроника».
